DLVR-L01D-E1BD-C-PS3S压力250pa传感器1英寸水注All Sensors详细介绍

  多晶硅薄膜的点血性质：多晶是有大量尺寸不一，形状各异，取向不同的晶粒所组成。晶粒内部还保持着单晶中原子的周期排列。也就是说每一晶粒具有与单晶一样的警惕结构，但相邻晶粒的取向存在较大的角度差。因界面层厚度仅为几个原子层，总体上看原子排列及其混乱，造成大量悬挂键和空位。这些缺陷态可以俘获多数载流子，成为多子的陷阱，并处于带电荷状态。一方面使多晶中的多数载流子减少，更重要的是带有多子相同符号的陷阱态排斥多数载流子。因此晶界成为多子的势垒，并在其附近出现相反符号的空间电荷区。

   压力传感器的制造中一般利用集成电路平面工艺，用杂志扩散或离子注入的方法形成电阻器。扩散层被用来作为应力或应变敏感的电阻器，电流边与扩散层被用来作为应力或应变敏感的电阻器，电流便与扩散层表面平行流过电阻器。在压力传感器的设计。制造时，需要了解不同温度下硅扩散层的压阻特性，选择合适的扩散条件，选用一定型号、晶向的扩散电阻以获得较高的灵敏度和晓得灵敏度系数，力求使压力传感器有良好的性能。

 扩散层硅的电阻温度特性与压力传感器的热零点漂移以及热灵敏度有密切的关系。

压力传感器中扩散层电阻的非线性也是一个值得注意的问题。她会引起传感器压阻电桥的输出出现零点电漂移现象。所谓非线性是指扩散电阻的阻值与外加电压有关，不能保持恒定不变。  扩散层的平均压阻系数：扩散层中杂质往往呈误差函数（恒定表面源条件下）或余误差函数（恒定表面浓度条件）分布。也就是说，表面杂质浓度高，电流便呈现不均匀分布。虽然应力在电阻的纵剖面是均匀分布的，而压阻系数取决于杂质浓度。以此在扩散层上电阻的改变的***量是不同的。这又使扩散层中电流在纵向中心分布并造成压阻值和应力之间的非线性。

4 INCH-D-CGRADE-MV
120cmH20-D1-4V-MINI
DLHR-L30D-E1NJ-I-NAV6
DLHR-L30D-E1BD-I-NAV8
DLHR-L30D-E2BD-I-NAV6
5 PSI-D-PRIME-MV
1 INCH-D-MV
0.3 PSI-GF-HGRADE-MINI
5 PSI-D-CGRADE-MINI
0.3 PSI-D-HGRADE-MV
5 PSI-D-HGRADE-MV
1 PSI-D-CGRADE-MV

15 PSI-AF-PRIME-MINI
10 INCH-D2-BASICBECK
MLV-005D-E1BS-N
30 INCH-G-BASIC
5 INCH-D-4V-MIL
10 INCH-G-4V-MIL
5 PSI-D1-4V-MINI
1 PSI-DI-4V-MINI
30 PSI-A-4V-MINI
15 PSI-AF-PRIME-MINI
DLVR-L10D-E1NJ-I-NI3N
DLV-015A-E1BD-C-NI3F
100PSI-D-4V-ASCX
5 INCH-D-MV
DLVR-L01D-E1BD-I-PS3S
DLVR-L01D-E1BD-C-PS3S
BLVR-L30D-B1NS-N
BLVR-L30D-B2NS-N
BLVR-L30D-BGNS-N
BLVR-L01D-B2NS-N
10 INCH-D-MV
5 INCH-D2-MV-MINI
10 INCH-G-HGRADE-MINI
10 INCH-GF-HGRADE-MINI